面上，三星电子在美国加州“未来内存与存储”大会上集中展示面向AI时代的下一代内存技术，包括超400层V10B V-NAND原型、垂直堆叠式高带宽内存zHBM及zNAND-O架构。其中V10B V-NAND采用晶圆键合架构，存储密度较前代提升约58%，读写速度与输入输出性能均得到改善，力图在近万亿美元存储芯片市场中巩固领先地位。

　　长江证券指出，半导体设备是存储芯片产业链实现产能扩张与技术迭代的底层支撑，从前道光刻、刻蚀等核心工艺的制程升级，到中后道TSV硅通孔与先进封装的产能构建，设备投资在存储扩产周期中具备显著的前置效应。

　　半导体设备ETF易方达跟踪中证半导体材料设备主题指数，聚焦半导体上游关键环节，覆盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、量测检测等核心设备与材料领域；科创芯片ETF易方达跟踪上证科创板芯片指数，汇聚科创板芯片龙头，聚焦AI芯片、先进制程、半导体设备等方向，助力投资者布局半导体产业链景气机遇。