面上，三星电子在美国加州“未来内存与存储”大会上集中展示面向AI时代的下一代内存技术，包括超400层V10B V-NAND原型、垂直堆叠式高带宽内存zHBM及zNAND-O架构。其中V10B V-NAND采用晶圆键合架构，存储密度较前代提升约58%，读写速度与输入输出性能均得到改善，力图在近万亿美元存储芯片市场中巩固领先地位。

　　相关研究机构表示，海外AI资本支出持续超预期将带动光模块、光纤光缆与服务器产业链发展，而国内长鑫IPO及国产模型厂商自研芯片趋势正推动国产AI芯片设计、制造及材料设备产业链升级，形成双重驱动的AI产业增长逻辑。

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