面上，SK海力士在其FMS 2026峰会新闻稿中确认，其继321层V9 “4D NAND”后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。SK海力士计划2027年上半年量产基于V10 NAND的企业级固态硬盘。

　　相关研究机构表示，AI驱动HBM需求爆发，推动存储行业进入新一轮扩产周期，HBM量价齐升导致DRAM供需持续偏紧。存储制程升级带动设备投资提升，刻蚀、薄膜沉积及量测设备将受益于行业扩产。国内外存储厂商同步扩产，平台化设备龙头及核心环节有望持续受益于行业景气度回升。