面上，据证券时报，长鑫科技在世界制造业大会上宣布，其第五代DRAM技术平台已实现量产。该平台基于创新的四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球顶尖制程水平。依托这一突破，基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已全面进入国产主流旗舰手机。值得注意的是，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%，显著增强了产品在能效与成本上的竞争力。

　　五矿证券指出，芯片设计正从制程微缩向“高算力密度”与“高传输效率”双向演进，这重塑了关键金属需求，如锆、铪、钽等成为先进制程与3D堆叠技术的不可替代材料，具备战略投资价值。

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