九峰山实验室近日在磷化铟材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用。

　　据悉，作为光通信、量子计算等前沿领域的核心材料，磷化铟的产业化应用长期受限于大尺寸制备技术瓶颈。目前业界主流仍停留在3英寸工艺阶段，高昂的制备成本严重制约了下游产业的规模化应用。而此次九峰山实验室依托国产MOCVD设备与InP衬底技术，成功突破大尺寸外延均匀性控制这一关键技术难题为大尺寸光芯片的规模化制备铺平了道路。

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