Bernstein最新发布的2025年中国晶圆制造设备竞争格局报告显示，2025年中国半导体设备整体国产化率从2024年的16%跃升至21%，刻蚀、薄膜沉积、掺杂、过程控制等关键环节均实现显著突破。其中，刻蚀国产化率达31%，薄膜沉积达27%，掺杂和过程控制首次突破10%大关。国产替代从“去美化”迈入“全链路自主”新阶段，半导体设备正迎来份额提升与需求扩张的双击。
半导体设备ETF国泰大涨4%，覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、测试等核心环节，是布局国产替代加速与存储扩产红利的核心工具。
Bernstein于5月28日发布中国WFE竞争格局报告，报告显示，2025年中国半导体设备整体自给率从2024年的16%提升至21%，提升幅度达5个百分点，是自2019年以来年度提升最快的一年。这背后是刻蚀、薄膜沉积、掺杂、过程控制等核心环节的集体突破。
刻蚀与薄膜沉积仍是国产替代主力，国产化率分别达31%和27%。刻蚀领域，中微公司与北方华创共同占据了国内厂商约95%的份额，两者份额稳定在47%和48%，中微在CCP领域持续领先，北方在ICP领域优势稳固。薄膜沉积领域，北方华创和拓荆科技是两大主力，北方在PVD领域保持垄断地位，并积极拓展CVD/ALD；拓荆在PECVD领域领先，ALD快速成长。值得注意的是，中微公司已开始在LPCVD/ALD领域确认收入，成为沉积赛道的新兴力量，进一步加剧国产龙头的平台化竞争。
掺杂与过程控制首次突破10%国产化率，边际改善最显著。报告显示，掺杂和过程控制环节2025年国产化率分别达到13%和10%，同比增速高达86%和63%，是增长最快的细分领域。北方华创首次在掺杂领域确认收入，已跻身国内第二。过程控制环节，中科飞测、精测电子、上海睿励等企业持续突破，在无图形晶圆检测、薄膜量测等领域逐步实现批量供货。低国产化率环节的加速追赶，意味着替代空间被进一步打开。
光刻和涂胶显影仍是“最后的堡垒”。光刻环节自给率仍低于1%，上海微电子等企业虽已出货，但主要集中在后道封装领域，前道光刻仍需数年突破。涂胶显影国产化率同样极低，芯源微是国内唯一具备量产能力的厂商，但份额提升尚需时间。这也恰恰说明，一旦这些环节取得突破，将释放巨大的替代弹性。
Bernstein在报告中特别指出，国内存储客户已因存储超级周期大幅上修未来几年扩产计划，先进逻辑也将因国产AI芯片需求激增而加速产能扩张。这与WSTS预测的2026年全球半导体市场增长90%、存储暴涨250%的数据高度吻合。
HBM4全面量产，TSV/混合键合/测试设备需求井喷。黄仁勋已确认SK海力士、三星、美光三家存储巨头通过认证，将量产HBM4并供应Vera Rubin平台。TrendForce预计到2027年HBM晶圆投入量将占DRAM总投入的30%。HBM的TSV通孔刻蚀、多层堆叠键合、KGSD测试等工艺，直接拉动高深宽比刻蚀、混合键合、晶圆级测试设备需求。北方华创、中微公司在TSV刻蚀领域深度布局，拓荆科技的混合键合设备已进入客户验证，国产测试设备商亦有望在HBM测试环节分得一杯羹。
先进封装设备迎来卡位机遇，北方华创面板级封装去胶设备成功出货。日月光推出310mm×310mm面板级封装自动化产线年上半年量产。北方华创首台600mm×600mm面板级封装去胶设备成功出货，标志着国产设备正式切入先进封装关键制程。
Bernstein报告揭示了一个重要趋势：全球设备商在中国的收入正从“提前拉货”阶段逐步正常化，而国产厂商的份额提升是可持续的商业进展。2025年，应用材料、东京电子等全球龙头在中国区的收入同比出现下滑，而国产厂商却实现了37%-67%的同比增长。这表明，国产替代已不再是单纯的政策驱动，而是基于技术成熟度和成本竞争力的商业选择。
在国产化率跃升至21%、存储超级周期驱动扩产、先进封装设备突破的多重催化下，半导体设备行业正迎来“份额提升+需求扩张+国产替代深化”的三重共振。刻蚀、薄膜沉积、量检测、掺杂、测试、先进封装等各环节均处于景气上行通道，而涂胶显影、光刻等低国产化率环节更蕴藏巨大的替代弹性。
半导体设备ETF国泰跟踪中证半导体设备指数，成分股覆盖核心设备龙头，全面覆盖从晶圆制造到先进封装的关键环节。相较于个股投资，ETF可有效分散单一技术路线和客户验证风险。在国产芯片从“追赶制程”迈向“架构引领”的历史性转折中，半导体设备ETF国泰是投资者把握国产芯片创新红利的优选工具。
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